[发明专利]PVD－CVD混合系统有效
| 申请号： | 200510137090.X | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1900359A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 竹原孝子;孙昇;约翰·M·怀特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/22;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作具有一或多层含硅层及一或多层含金属层的膜堆栈的方法，以及一种具有此膜堆栈形成于基板上的基板处理系统。此基板处理系统包括，一或多个传送室，连接至一或多个装载室以及二或多个不同种类的制程反应室上。此二或多个种类的制程反应室是用以淀积一或多层含硅层及一或多层含金属层于相同基板处理系统中，而不需打破真空，或将基板移出此基板处理系统以避免表面污染、氧化等，用以省略额外的清洗或表面处理步骤。此基板处理系统构成为，向原处基板处理提供高产率及紧凑的占地面积，以及执行不同种类的制程。 | ||
| 搜索关键词： | pvd cvd 混合 系统 | ||
【主权项】：
1.一种在一基板处理系统中处理一基板上含一或多层含硅层及一或多层含金属层的一膜堆栈的方法，其至少包含下列步骤：通过所述基板处理系统的一化学气相淀积反应室，淀积所述一或多层含硅层于基板上；由所述化学气相淀积反应室，将所述基板传送至所述相同基板处理系统的一物理气相淀积反应室中，而不需要打破真空；以及由所述物理气相淀积反应室淀积所述一或多层含金属层于所述一或多层含硅层的表面上，而不需要对所述一或多层含硅层做表面处理。
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