[发明专利]瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法无效
| 申请号： | 200510137330.6 | 申请日： | 2005-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1838401A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | K·塞特尔迈尔;R·拉马钱德兰;M·－S·金;O·－J·关 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽，该沟槽具有侧壁和底部，沟槽具有与衬底顶表面相邻的上部区域和与沟槽底部相邻的下部区域；在沟槽的底部区域形成衬底氧化层；从沟槽的底部区域除去所述衬底氧化层，沟槽下部区域的横截面积大于沟槽上部区域的横截面积。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成沟槽，所述沟槽具有侧壁和底，所述沟槽具有邻近所述衬底顶面的上部区域和邻近所述沟槽底的下部区域；在所述沟槽的所述底部区域形成所述衬底的氧化层；和从所述沟槽的所述底部区域除去所述衬底的所述氧化层，所述沟槽的所述下部区域的横截面积大于所述沟槽的所述上部区域的横截面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
