[发明专利]以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法无效
| 申请号： | 200510137398.4 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1828843A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 格拉多·A·戴戈迪诺;斯昌林;叶延;史云炅 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/46;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。 | ||
| 搜索关键词： | 轰击 等离子体 提供 蚀刻 速率 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻方法，包括：a)施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物；和b)形成高密度和低轰击能量的等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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