[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510137498.7 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1819240A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 郑善旭 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器包括：包括蚀刻停止层的钝化层，该钝化层具有形成至由该蚀刻停止层确定的深度的滤色器阵列图案，该滤色器阵列图案包括分开限定的滤色器区；以及滤色器阵列，其包括依据颜色分别滤光的多个滤色器，依据滤色器阵列图案形成该滤色器，每个滤色器由仅填充对应滤色器区的材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种CMOS图像传感器，包括：钝化层，其包括蚀刻停止层，所述钝化层具有形成到依据该蚀刻停止层的深度的滤色器阵列图案，该滤色器阵列图案包括分开限定的滤色器区；和滤色器阵列，其包括用于依据颜色来分别滤光的多个滤色器，依据所述滤色器阵列图案形成所述滤色器，每个滤色器由仅填充对应滤色器区的材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
