[发明专利]使用无定形碳制造半导体存储器件的电容器的方法无效
| 申请号： | 200510137500.0 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1819156A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 孔根圭;郑载昌 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/8229;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在基片上形成层间绝缘层；形成穿透到层间绝缘层中的存储节点接触塞；形成通过在层间绝缘层上堆叠第一保护阻挡层和牺牲层所形成的堆叠结构；以具有使存储节点接触塞的上部开放的沟槽的方式来对第一保护阻挡层和牺牲层执行蚀刻工艺；在沟槽内部形成具有柱型的存储节点；形成填充具有柱型的存储节点的内部的第二保护阻挡层；通过执行湿汲出工艺来移除牺牲层；移除第一保护阻挡层和第二保护阻挡层；以及在存储节点上依次形成电介质层和板节点。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 无定形碳 制造 半导体 存储 器件 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在基片上形成层间绝缘层；形成穿透到所述层间绝缘层中的多个存储节点接触塞；形成通过在所述层间绝缘层上堆叠第一保护阻挡层和牺牲层所形成的堆叠结构；以具有使所述存储节点接触塞的上部开放的沟槽的方式来对所述第一保护阻挡层和所述牺牲层执行蚀刻工艺；在所述沟槽内部形成具有柱型的多个存储节点；形成填充具有所述柱型的所述存储节点内部的第二保护阻挡层；通过执行湿汲出工艺来移除所述牺牲层；移除所述第一保护阻挡层和所述第二保护阻挡层；以及在所述存储节点上依次形成电介质层和板节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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