[发明专利]闪存器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种闪存器件及其制造方法，其包括具有源极选择线、多条字线及漏极选择线的串结构，形成自对准接触后，第一绝缘膜填充于所述字线之间、所述字线与所述源极选择线之间及所述字线与所述漏极选择线之间。间隔物利用第二绝缘膜形成于所述源极选择线及所述漏极选择线的侧壁上。在此情况下，该第一绝缘膜具有小于该第二绝缘膜的介电常数值的介电常数值。因此，可形成稳定的自对准接触，可使编程操作中的Vt扰动现象最小化，且可改善器件的操作速度。

主权项

1.一种闪存器件，包括：多条源极选择线、多条字线及多条漏极选择线，其形成于半导体衬底上；第一绝缘膜，其形成于所述字线之间、所述字线与所述源极选择线之间及所述字线与所述漏极选择线之间所述半导体衬底上；及间隔物，其形成于所述源极选择线之间所述源极选择线的侧壁上，所述间隔物由第二绝缘膜形成，其中所述第一绝缘膜具有小于所述第二绝缘膜的介电常数值的介电常数值。