[发明专利]制造CMOS图像传感器中的隔离层的方法无效
| 申请号： | 200510137601.8 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1819138A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄俊 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造CMOS图像传感器中隔离层的方法，将氧和P－型离子注入到装置隔离区中而没有蚀刻损坏并执行加热工艺以在半导体基片中形成装置隔离层。离子注入掩模层被形成，其暴露低浓度的第一传导类型半导体基片上的装置隔离区。使用掩模层氧离子被注入到半导体基片中。执行加热工艺以在装置隔离区中形成氧化物层。栅绝缘层形成于半导体基片上而栅电极形成于栅绝缘层上。低浓度的第二传导类型扩散区形成于光电二极管区中。高浓度的第二传导类型扩散区形成于半导体基片中栅电极的两侧。具有高于半导体基片浓度的浓度的第一传导类型扩散区形成于半导体基片中低浓度的第二传导类型扩散区上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 cmos 图像传感器 中的 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造CMOS图像传感器中隔离层的方法，包括：形成离子注入掩模层，所述离子注入掩模层暴露半导体基片上的装置隔离区；使用所述掩模层将氧离子注入到所述半导体基片中；以及执行加热工艺以在所述装置隔离区中形成氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
