[发明专利]相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元无效
| 申请号： | 200510137671.3 | 申请日： | 2005-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1996633A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈颐承;许宏辉;李乾铭;卓言;赵得胜;王文翰;陈维恕;李敏鸿 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元，主要通过添加一种或多种不与相变化材料发生反应的异质晶粒，作为相变化存储层结晶成长的晶核，以减少非晶态转换为结晶态所需的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 及其 制造 方法 单元 | ||
【主权项】：
1、一种相变化存储层的制造方法，所述相变化存储层提供在一非结晶态与一结晶态之间转态，其特征在于，所述制造方法包括下列步骤：由多个异质钝化材料薄膜层与多个相变化材料层相互交错形成一迭层；以及将所述这些异质钝化材料薄膜层转态为多个晶粒，其中所述这些晶粒作为所述非结晶态与所述结晶态之间转态时的晶核位置。
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