[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板、及电子仪器有效
| 申请号： | 200510137723.7 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1819130A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 深泽元彦 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其备有：半导体元件、贯通上述半导体元件的贯通电极、和选择性地覆盖上述半导体元件的侧壁及角的树脂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 路基 电子仪器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将含有埋入了导电材料的多个半导体元件部的半导体晶片，介由粘接层与支撑体粘接的工序；通过使上述半导体晶片变薄，贯通上述多个半导体元件部并且形成由上述导电材料构成的贯通电极的工序；留下上述支撑体而切割上述半导体晶片，并将上述半导体晶片分割为上述多个半导体元件部的工序；形成树脂层的工序，所述树脂层选择性地覆盖以上述半导体晶片的切断来形成的上述多个半导体元件部的侧壁部和角部；和从上述支撑部剥离树脂层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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