[发明专利]薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，可应用在逆交错型和交错型的薄膜晶体管结构。制作逆交错型薄膜晶体管的方法包括在基板上，形成栅极电极、栅极绝缘层、有源通道、漏极电极和源极电极。此方法强调使用金属氧化物或II－VI化合物半导体和低温化学浸浴沉积，来形成有源层。在化学浸浴沉积的过程里，经由控制溶液温度与PH值，有源通道层选择性地被沉积在浸浴于溶液里的基板上。本发明的优点包括低的沉积温度、有选择性沉积、无基板大小的适用限制和低制造成本。低的沉积温度容许使用柔性基板，例如塑料基板。

主权项

1.一种制作薄膜晶体管的方法，包含下列步骤：沉积第一导体层且图案化该第一导体层，以形成栅极电极于基板上；沉积和图案化高介电常数绝缘层于该栅极电极和一部分的该基板上；沉积第二导体层且图案化此第二导体层，以形成源极电极、漏极电极、连接电路，和介于该源极电极与该漏极电极之间的开通道；沉积和图案化光阻层，以形成开区域于该开信道的顶部，并且作表面处理，以增加至该开区域上表面的接续层的附着性；利用低温溶液方法，选择性地形成有源通道层于该光阻层的该开区域的上方，其中该有源通道层覆盖该源极电极与该漏极电极；以及剥除该光阻层并清洗该有源通道层。