[发明专利]半导体存储装置

摘要

DRAM单元形成的活性区(7)由在硅衬底(1)上形成的分离沟槽(40)规定，在分离沟槽(40)内形成分离绝缘膜(4)。DRAM单元中设有具备栅电极(12)及其侧壁(13)的MOS晶体管和具备上部电极(22)及其侧壁(23)的电容器。在分离沟槽(40)上部形成凹部(41)，电容器的上部电极(22)设有其内部埋入的埋设部。在上部电极(22)中埋设部的外侧边缘(E₁)位于侧壁(23)的外侧边缘(E₂)内侧。从而，提供抑制单元间的短路并提高动作可靠性，同时有助于高速动作化的半导体存储装置。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于设有：由在半导体衬底上部形成的沟槽规定的活性区，在所述沟槽内形成的元件分离绝缘膜，在所述活性区形成的MOS晶体管，以及由与所述MOS晶体管的源极/漏极区连接的杂质扩散层即下部电极、在所述杂质扩散层表面形成的电介质层及在所述电介质层上形成的上部电极构成的电容器；所述元件分离绝缘膜设有使所述沟槽内壁露出的凹部，所述杂质扩散层和所述电介质层从所述活性区上面经过所述凹部内露出的所述沟槽内壁延伸，所述上部电极设有埋入所述凹部内的埋设部，并在没有埋入所述凹部内的部分的侧面设有侧壁，所述上部电极中，所述埋设部的外侧边缘位于所述侧壁的外侧边缘内侧。