[发明专利]三氯氢硅加压提纯方法及其装置有效
申请号: | 200510200334.4 | 申请日: | 2005-06-16 |
公开(公告)号: | CN1693192A | 公开(公告)日: | 2005-11-09 |
发明(设计)人: | 沈祖祥;严大洲;汤传斌;肖荣晖 | 申请(专利权)人: | 中国有色工程设计研究总院 |
主分类号: | C01B33/08 | 分类号: | C01B33/08;C01B33/107 |
代理公司: | 北京中建联合知识产权代理事务所 | 代理人: | 朱丽岩;白云 |
地址: | 100038北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种三氯氢硅加压提纯方法及其装置,将待提纯的三氯氢硅、四氯化硅、氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜,蒸馏釜压力为0.15MPa~1.5MPa、温度为70℃~200℃:从蒸馏釜出来的蒸汽进入提纯塔中进行热量与成分的交换与分离,提纯塔内的操作温度为40~150℃,沸点低的三氯氢硅组分在汽相中富集,沸点高的四氯化硅组分在液相中富集,经过多次汽化、冷凝,最终在汽相中得到三氯氢硅汽化组分,然后进入塔顶水冷凝器,经循环水冷却、冷凝成三氯氢硅液体。本发明可使同样塔径的提纯塔产量提高50%;减少了冷冻所需的设备投资和设备运行费用,塔顶水冷凝器的换热效率提高约15%,大大降低了能耗。 | ||
搜索关键词: | 三氯氢硅 加压 提纯 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1.一种三氯氢硅加压提纯方法,其特征在于其方法和技术参数如下:(1)、将待提纯的三氯氢硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜;(2)、用热媒加热蒸馏釜至70℃~200℃,使三氯氢硅和四氯化硅的混合液体被蒸馏并产生汽化,蒸馏釜控制压力为0.15MPa~1.5MPa;(3)、从蒸馏釜排汽管出来的汽化蒸汽通过连接管进入提纯塔中,提纯塔内的操作温度为40~150℃,来自蒸馏釜的SiHCl3、SiCl4的混合蒸汽在提纯塔的各级筛板上进行热量与成份的交换与分离,沸点低的三氯氢硅组分在汽相中富集,沸点高的四氯化硅组分在液相中富集,经过多次部分汽化或部分冷凝,最终在汽相中得到易挥发、较纯的三氯氢硅汽化组分,在提纯塔中得到沸点高的四氯化硅组分;(4)、从提纯塔出来的三氯氢硅汽化组分通过导管进入塔顶水冷凝器,塔顶水冷凝器采用普通循环水冷却,三氯氢硅汽化组分经冷却,冷凝成液体,即沸点低的三氯氢硅液体;(5)、从蒸馏釜的排液管排出较难挥发的四氯化硅液体。
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