[实用新型]半导体芯片的堆叠构造无效

专利信息
申请号: 200520000046.X 申请日: 2005-01-06
公开(公告)号: CN2785140Y 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: 辛宗宪;黄以碧 申请(专利权)人: 胜开科技股份有限公司
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L25/18;H01L23/12;H01L23/48;H01L23/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 马娅佳
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型为半导体芯片的堆叠构造,包括有一基板,其设有一上表面及一下表面,该下表面形成有多个第一电极。一凸缘层为一框型结构,叠合于该基板的上表面,而与该基板形成有一凹槽,该凸缘层设有多个第二电极及多个第三电极。一下层芯片,其设置于该基板的上表面上,并位于该凹槽内。多条第一导线由凸缘层上的第一电极打线至该下层芯片上。多个隔绝元件设置于该下层芯片上。一上层芯片设置于该下层芯片上方,被该多个隔绝元件支撑住。多条第二导线由该上层芯片打线至该凸缘层的第三电极上。一封胶层用以将该上层芯片及该下层芯片包覆住。
搜索关键词: 半导体 芯片 堆叠 构造
【主权项】:
1.一种半导体芯片的堆叠构造,其特征在于,包括有:一基板,其设有一上表面及一下表面,该下表面形成有多个第一电极;一凸缘层,其为一框型结构,叠合于该基板的上表面,而与该基板形成有一凹槽,该凸缘层设有多个第二电极及多个第三电极;一下层芯片,其设置于该基板的上表面上,并位于该凹槽内;多条第一导线,其由凸缘层上的第一电极打线至该下层芯片上;多个隔绝元件,其设置于该下层芯片上;一上层芯片,其设置于该下层芯片上方,被该多个隔绝元件支撑住;多条第二导线,其由该上层芯片打线至该凸缘层的第三电极上;及一封胶层,将该上层芯片及该下层芯片包覆住。
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