[实用新型]用于衬底处理室的热匹配支撑环无效
| 申请号： | 200520001009.0 | 申请日： | 2005-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN2842725Y | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·M·拉尼什;阿龙·缪尔·亨特;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德兰;雅勒帕特·拉维;孙达拉·拉马穆尔蒂;韦达普伦姆·S·阿楚塔拉曼;胡尔希德·索拉布吉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/68;F27D5/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种衬底支撑环包括带，该带具有至少部分围住衬底周边的内周边。该带具有辐射吸收表面。缘从该带的内周边向内沿径向延伸以支撑所述衬底。该带和缘可以由碳化硅形成，并且辐射吸收表面可以是被氧化的碳化硅层。在一种方案中，该带和缘具有组合热质量Tm，辐射吸收表面具有吸收率A和表面面积Sa，以使比值(A×Sa)/Tm为约4×10－5m2K/J到约9×10－4m2K/J。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 处理 匹配 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种用于衬底处理室的热匹配支撑环，其特征是所述环包括：(a)带，该带包括内周边、外周边以及顶面，所述内周边至少部分围住衬底的周边，所述顶面是一辐射吸收表面；(b)环状连接侧壁，其从所述带的内周边向下延伸；(c)缘，其从所述环状连接侧壁向内沿径向延伸，所述缘位于所述带的顶面下方并形成一凹入部分以支撑在所述带的内周边之内的衬底；(d)环状支撑侧壁，其从所述带的外周边向下延伸；其中所述带和缘包括碳化硅的烧结组合物，并且其中所述辐射吸收表面包括被氧化的碳化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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