[实用新型]快速高温处理的装置无效
申请号: | 200520001537.6 | 申请日: | 2005-01-27 |
公开(公告)号: | CN2793916Y | 公开(公告)日: | 2006-07-05 |
发明(设计)人: | 麦凯玲;杨铭和;李资良;陈世昌;聂俊峰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/477 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型是一种半导体基板的快速高温处理的装置,该装置包括一热源与一反射器,该热源提供快速高温处理的辐射热能,该反射器将该辐射热能予以反射,并将反射的辐射热能导至半导体基板的背面。本实用新型的效果在于热源发出的辐射热能被导至半导体基板的背面,而半导体基板的正面未被辐射热能所照射,于是,半导体基板正面的图案不会影响到热流的均匀性,再者,由于热源并未安置于半导体基板的正面,便可在半导体基板的正面设置一高温计,由此可以准确地量测半导体基板正面的实际温度,以对热源的个别加热灯管所发射的辐射热能进行实时控制,而达成热能均匀分布。 | ||
搜索关键词: | 快速 高温 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体基板的快速高温处理的装置,其特征在于所述半导体基板的快速高温处理的装置包括:一可发出辐射热能的热源,位于半导体基板的背面的一侧,并距该半导体基板的背面具有一定距离;一反射器,位于半导体基板的背面的一侧,并距该半导体基板的背面具有一定距离,该反射器将该热源发出的辐射热能导至该半导体基板的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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