[实用新型]静电放电保护电路无效
申请号: | 200520002323.0 | 申请日: | 2005-02-06 |
公开(公告)号: | CN2805093Y | 公开(公告)日: | 2006-08-09 |
发明(设计)人: | 陈重辉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H05F3/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型是有关于一种静电放电保护电路。该静电放电保护电路,包含一二极管串,其阳极耦接至一第一端点,具有一正向电压降大于等于一第一供应电压;一静电电荷消散模块具有至少一N型金属氧化物半导体场效应晶体管,用以导通该静电电荷从该二极管串至一第一共享端,该第一共享端耦接着一第二供应电压;一第一二极管阳极耦接至该第一共享端,阴极耦接至该第一端点;以及一控制模块用以控制该静电电荷消散模块,当该控制模块使该第一端点上的电压大于该正向电压降时,该静电电荷透过该第一共享端消散。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
1、一种静电放电保护电路,用于一集成电路中,其特征在于所述静电放电保护电路包含:一二极管串,该二极管串的阳极耦接至一第一端点,具有一正向电压降大于等于一第一供应电压,以及该二极管串的阴极是用以导通静电电荷;一静电电荷消散模块,具有至少一N型金属氧化物半导体场效应晶体管用以导通该静电电荷从该二极管串至一第一共享端,该第一共享端耦接着一第二供应电压;一第一二极管,该第一二极管的阳极耦接至该第一共享端,该第一二极管的阴极耦接至该第一端点;以及一控制模块,用以控制该静电电荷消散模块,当该控制模块使该第一端点上的电压大于该正向电压降时,该静电电荷透过该第一共享端消散。
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