[实用新型]半导体衬底无效

专利信息
申请号: 200520002662.9 申请日: 2005-01-24
公开(公告)号: CN2826695Y 公开(公告)日: 2006-10-11
发明(设计)人: 内藤宽;藤田晴光 申请(专利权)人: 雅马哈株式会社
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L23/52;H01L21/66
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了防止水分和其他杂质渗入用于测试IC的监测元件中,用二级密封环围绕监测元件,二级密封环通过顺序形成金属层和氧化层以及通孔来构成,通过所述通孔,氧化层被部分地中断。
搜索关键词: 半导体 衬底
【主权项】:
1.一种半导体衬底,其特征在于所述半导体衬底沿划片线被划分以形成被密封环围绕的多个IC区域,其中在所述划片线中形成有钝化开口,在所述划片线中监测元件区域之内形成监测元件,所述监测元件区域被二级密封环围绕。
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