[实用新型]可降低启始电压偏移的薄膜晶体管结构无效
| 申请号： | 200520012447.7 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN2812302Y | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 黄坤铭;徐振富 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;潘培坤 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其包含：一基板；一薄膜晶体管元件形成于该基板上；以及一保护层形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。通过提高形成氧化硅层时所使用的含硅气体量，同时降低形成氧化硅层时所使用的含氧气体量来增加氧化硅层内的悬浮键数，以降低保护层制程中，等离子体离子进入硅基板与栅极氧化层间接口的机会，而增加启始电压的均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 电压 偏移 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其特征是该薄膜晶体管结构包含：一基板；一薄膜晶体管元件形成于该基板上；以及一保护层形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。
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