[实用新型]锗硅肖特基二极管无效
| 申请号： | 200520013605.0 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN2826699Y | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及锗硅肖特基二极管，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的二氧化硅层，在二氧化硅层窗口内有锗硅外延层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅外延层的上面，在二氧化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极。这种结构的锗硅肖特基二极管由于其锗硅外延层只在二氧化硅光刻窗口处生长，因此能有效地降低器件的反向漏电流，且器件制造无须任何隔离，简化了工艺，提高了集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.锗硅肖特基二极管，包括硅衬底(1)、锗硅外延层(2)、开有窗口的二氧化硅层(3)、镍硅化合物层(4)、铝电极(5)以及欧姆接触电极(6)，其特征在于欧姆接触电极(6)、硅衬底(1)和开有窗口的二氧化硅层(3)自下而上依次迭置，锗硅外延层(2)和镍硅化合物层(4)在二氧化硅层(3)的窗口内，其中镍硅化合物层(4)在锗硅外延层(2)的上面，在二氧化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层(4)接触的铝电极(5)。
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