[实用新型]一种新型真空镀膜机无效
| 申请号： | 200520017267.8 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN2832829Y | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 刘阳 | 申请（专利权）人： | 北京实力源科技开发有限责任公司;刘阳 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丛芳;廖立全 |
| 地址： | 100070北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种新型真空镀膜机，包括有磁控溅射靶的反应磁控溅射镀膜机，还包括放置在反应磁控溅射镀膜机中的一只或多只定向发射的细长形电弧离子源。电弧离子源的布置位置与工件拉开较远距离，其蒸发面距工件旋转区域最近处大于100毫米，将电弧液滴减少和减小。电弧离子源蒸发方向指向抽气口一侧的镀膜腔半周，并用挡板或孔隙适当的栅网，围成半封闭的局部空间，从而以低成本将电弧液滴减少和减小，以便在工业上获得优质薄膜。这种镀膜机的突出特点是离化率高、防止靶材中毒、沉积速率高，所成薄膜具有结合力强、组织结构致密、表面光洁等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 真空镀膜 | ||
【主权项】：
1.一种新型真空镀膜机，包括有磁控溅射靶的反应磁控溅射镀膜机，其特征在于：还包括一只或多只定向发射的细长形电弧离子源，放置在反应磁控溅射镀膜机中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京实力源科技开发有限责任公司;刘阳，未经北京实力源科技开发有限责任公司;刘阳许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200520017267.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：组合联锁按键开关
- 下一篇：焦炉装煤出焦烟气合一输送转换设备
- 同类专利
- 专利分类
