[实用新型]具有隔离结构的MOS场效应晶体管

摘要

本实用新型公开了一种具有隔离结构的MOS场效应晶体管，其中一N型MOS场效应晶体管包括有一第一N型阱，一包围起一第一源极区域与一第一接点区域的第一P型区域于该第一N型阱内形成，一第一漏极区域亦形成于第一N型阱内；其中一P型MOS场效应晶体管包括有一第二N型阱，一包围起一第二漏极区域的第二P型区域于该第二N型阱内形成，一第二源极区域与一第二接点区域形成于该第二N型阱内。另外，一栅极置于一薄栅氧化层与一厚场氧化层上，用以控制场效应晶体管组件通道的电流量，分离的P型区域形成于一P型基板内用以提供场效应晶体管间的隔离。此外，一第一间隙与一第二间隙可提高场效应晶体管组件的击穿电压。

主权项

1、一N型MOS场效应晶体管，其特征是包括有：一P型基板；一具有N型导电离子的第一N型扩散区，于该P型基板内形成一第一N型阱；一具有P型导电离子的第一P型扩散区，于该第一N型阱内形成一第一P型区域；一具有N+型导电离子的第一漏极扩散区，于该第一N型扩散区内形成一第一漏极区域；一具有N+型导电离子的第一源极扩散区形成一第一源极区域，其中一第一通道于该第一源极区域与该第一漏极区域间形成；一具有P+型导电离子的第一接点扩散区形成一第一接点区域，其中该第一P型区域将该第一源极区域与该第一接点区域包围起来；一具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区，在该P型基板内形成多个分离的P型区域以提供隔离特性；一第一薄栅氧化层与一第一厚场氧化层，形成于该P型基板上；一第一栅极，置放于该第一薄栅氧化层与该第一厚场氧化层之上，用以控制该第一通道内的电流量；一硅氧化绝缘层，覆盖于该第一栅极与该第一厚场氧化层上；一第一漏极金属接点，其具有一与该第一漏极扩散区相连接的第一金属电极；一第一源极金属接点，其具有一连接至该第一接点扩散区与该第一源极扩散区的第二金属电极；以及一第一间隙，于该第一厚场氧化层与该第一P型区域间维持一空间，以提升该N型MOS场效应晶体管的崩溃电压。