[实用新型]高亮度发光二极管结构无效
| 申请号： | 200520017799.1 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN2819481Y | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 林惠作;林景渊 | 申请（专利权）人： | 光鼎电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦;陈肖梅 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型为一种高亮度发光二极管结构，包含一基座、一光学透镜(Lens)及一荧光粉层，该基座上设有一晶片，该光学透镜(Lens)设于基座上面，而该荧光粉层设于基座及光学透镜(Lens)中间，藉此以形成一具有发光均匀，且改变发光颜色的光二极管，并于组设上相当便捷。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度发光二极管结构，其特征是，包含：一基座，该基座设有一晶片；一光学透镜，该光学透镜设于基座上面；以及一萤光粉层，该萤光粉层设于基座及光学透镜中间；藉此以形成一具有发光均匀，且改变发光颜色的光二极管。
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