[实用新型]功率晶体管芯片小单元和双极型NPN功率晶体管芯片无效
| 申请号： | 200520018632.7 | 申请日： | 2005-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN2826696Y | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 程铭 | 申请（专利权）人： | 北京富桦明电子有限公司;程铭 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝庆芬 |
| 地址： | 102200北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率晶体管芯片小单元和双极型NPN功率晶体管芯片，该功率晶体管芯片小单元的特征在于：其包括基区、发射区以及集电区，发射区和集电区为N型，基区为P型，且集电区与基区之间的集电结是平面与弯曲面的结合。由上述的多个功率晶体管芯片小单元可以并联组成双极型NPN功率晶体管芯片，从而该双极型NPN功率晶体管芯片能可靠的应用于50KC以及以上的开关电路。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 芯片 单元 双极型 npn | ||
【主权项】：
1.一种功率晶体管芯片小单元，其包括基区、发射区以及集电区，发射区和集电区为N型，基区为P型，其特征在于，集电区与基区之间的集电结是平面与弯曲面的结合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京富桦明电子有限公司;程铭，未经北京富桦明电子有限公司;程铭许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200520018632.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低氮氧化物燃烧之灶具炉头
- 下一篇：全自动干豆腐泼浆机
- 同类专利
- 专利分类
