[实用新型]发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 200520019744.4 | 申请日： | 2005-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN2840330Y | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张正宜;徐志宏;谢忠全 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有金属反射层的发光二极管封装结构包含一具有凹陷部的基座。在凹陷部的侧壁，镀上一层金属反射层，使得发光二极管所发出的光可以有效率的射出封装结构，其中金属反射层使导线架短路部分以激光技术清除。发光二极管芯片固定在凹陷部中，且电极分别连接到两个彼此绝缘的导线架上。最后将封装材料填入凹陷部，用以封装发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，至少包含：一基座，具有一凹陷部；一导线架，固定在所述的基座中，并部分暴露在所述的凹陷部的底面；一发光二极管芯片，安装在所述的凹陷部内，并与所述的导线架电性连接；以及一金属反射层，镀在所述的凹陷部的侧壁，其中该金属反射层使所述的导线架短路部分以激光技术清除。
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