[实用新型]金属萘酞菁配合物旋涂膜气体传感器元件无效
| 申请号： | 200520020297.4 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN2768005Y | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王彬;左霞;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/31 | 分类号： | G01N27/31;H01L49/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 金属萘酞菁配合物旋涂膜气体传感器元件涉及气体传感器工作元件；在硅基底上固装二氧化硅层，真空蒸镀成对平面叉指铝电极均布在二氧化硅层上平面上，金属萘酞菁配合物旋涂膜层整体配置在真空蒸镀成对平面叉指铝电极上方，将其覆盖包容；本元件制备方法简单易行，制造价格低廉，有利于工业化生产，对气体灵敏度高、选择性好。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 萘酞菁 配合 物旋涂膜 气体 传感器 元件 | ||
【主权项】：
一种金属萘酞菁配合物旋涂膜气体传感器元件，其特征在于在硅基底(1)上固装二氧化硅层(2)，凸起的真空蒸镀成对平面叉指铝电极(3)均布在二氧化硅层(2)上平面上，金属萘酞菁配合物旋涂膜层(4)整体配置在真空蒸镀成对平面叉指铝电极(3)上方，将其覆盖包容。
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