[实用新型]一种高密度电极阵列结构无效
| 申请号： | 200520023080.9 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN2815273Y | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 唐世明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院生物物理研究所 |
| 主分类号： | A61B5/00 | 分类号： | A61B5/00;A61N1/05 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100101北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及高密度电极阵列技术领域，特别是一种高密度电极阵列结构。高密度电极阵列，由微孔阵列、单电极、固定树脂、接口板组成，其单电极置于微孔阵列的垂直孔中；单电极的尾部焊有引线，单电极的头部呈尖状，伸出微孔阵列的垂直孔；在单电极的尾部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂，引线末端焊接至接口板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 电极 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1、一种高密度电极阵列结构，由微孔阵列、单电极、引线、固定树脂和接口板组成，其特征在于，单电极为直角形，置于微孔阵列的垂直孔中；单电极的尾部焊接有引线，单电极的头部呈尖状，伸出微孔阵列的垂直孔；在单电极的尾部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂；引线末端焊接在接口板上。
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