[实用新型]自对准量子点增强F－N隧穿的半导体非挥发存储器

摘要

自对准量子点增强F－N隧穿的半导体非挥发存储器属于存储器设计技术领域。其特征在于，在P－Si衬底上方有一层SiGe量子点，多晶硅浮栅的下端与SiGe量子点的上端是自对准的。SiGe量子点可以是自组织生长的，多晶硅浮栅下部与SiGe量子点层的对称形状是在氧化过程中自对准形成的。本实用新型能够提高编程和擦除时的隧穿电流，在不减小隧穿氧化层厚度，保证编程速度的情况下降低工作电压，具有提高存储器的数据保持时间和增加可靠性的优点。

主权项

1、自对准量子点增强F-N隧穿的半导体非挥发存储器，含有：P-Si衬底；隧穿氧化层，位于P-Si衬底上方；多晶硅浮栅，位于隧穿氧化层上方；控制氧化层，位于多晶硅浮栅上方；控制栅，位于控制氧化层上方；其特征在于，在所述P-Si衬底上方还有一层SiGe量子点，所述多晶硅浮栅的下端与所述SiGe量子点的上端是自对准的。