[实用新型]纳米尺度的微型温度传感器无效
申请号: | 200520023352.5 | 申请日: | 2005-01-13 |
公开(公告)号: | CN2767978Y | 公开(公告)日: | 2006-03-29 |
发明(设计)人: | 杨拥军;徐淑静;吕树海 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | G01K7/22 | 分类号: | G01K7/22;B81B7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 050051河北省石家*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种纳米尺度的微型温度传感器,涉及传感器领域中的一种测量温度的传感器器件。它由硅腔体、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件,周围环境温度的变化引起其阻值的变化,达到测量温度,作为传感器的目的。本实用新型还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。特别适用于微流体传感器等要求体积较小的场合作为精确温度测量及IC芯片、传感器芯片等嵌入式在片温度测量的传感器装置。 | ||
搜索关键词: | 纳米 尺度 微型 温度传感器 | ||
【主权项】:
1、一种纳米尺度的微型温度传感器,它包括硅腔体(1),其特征在于:它还包括下层氮化硅膜层(2)、上层氮化硅膜层(3)、粘附层(4)、温敏电阻层(5)、导电层(6)、悬臂梁(7)、二氧化硅膜层(8),其中在硅腔体(1)下面淀积加工一层下层氮化硅膜层(2)结构,硅腔体(1)上面淀积加工一层二氧化硅膜层(8)结构,二氧化硅膜层(8)上淀积加工一层上层氮化硅膜层(3)结构,上层氮化硅膜层(3)下面的二氧化硅膜层(8)、硅腔体(1)腐蚀掏空成空腔体结构,硅腔体(1)腔体上的上层氮化硅膜层(3)腐蚀加工成悬空结构的悬臂梁(7)结构,悬臂梁(7)上溅射加工一层粘附层(4)结构,粘附层(4)上溅射加工一层温敏电阻层(5)结构,温敏电阻层(5)结构两端分别溅射加工一层导电层(6)电极结构。
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