[实用新型]测试晶片的转接座无效
| 申请号： | 200520028277.1 | 申请日： | 2005-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN2775834Y | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 资重兴 | 申请（专利权）人： | 资重兴 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/68 |
| 代理公司： | 长春市四环专利事务所 | 代理人： | 张建成;刘玉仁 |
| 地址： | 226500江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种测试晶片的转接座，其是由一绝缘本体及复数导接端子组成，绝缘本体上面设有一容置凹槽，于该容置凹槽底设有复数个端子植孔贯穿至底面，且绝缘本体设有一压持装置位于容置凹槽上方；导接端子是以金属片构成，具有一水平的上导接片、一与上导接片平行的下导接片，及一连结上、下导接片的连结片，并于下导接片一端设有一垂直上折的固定片；在绝缘本体的端子植孔分别植设有一导接端子，该导接端子的上导接片顶端突露于绝缘本体的容置凹槽，而下导接片底端突露于绝缘本体的底面，即组成晶片可置放于容置凹槽中与导接端子并间接与测试仪器接触的转接座。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 晶片 转接 | ||
【主权项】：
1、一种测试晶片的转接座，其特征在于：其包括有：一绝缘本体，该绝缘本体上面设有一容置凹槽，于该容置凹槽底设有复数个端子植孔贯穿至底面，且绝缘本体设有一压持装置位于容置凹槽上方；导接端子，该导接端子是以金属片构成，具有一水平的上导接片、一与上导接片平行的下导接片，及一连结上、下导接片的连结片，并于下导接片一端设有一垂直上折的固定片；在绝缘本体的端子植孔分别植设有一导接端子，该导接端子的上导接片顶端突露于绝缘本体的容置凹槽，而下导接片底端突露于绝缘本体的底面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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