[实用新型]一种功率MOSFET器件无效
| 申请号： | 200520043387.5 | 申请日： | 2005-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN2857224Y | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 黄树良;谢锋民;邵栎瑾 | 申请（专利权）人： | 技领半导体(上海)有限公司;技领半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率MOSFET器件，它可以提高功率MOSFET的带载能力、击穿电压、防止寄生MOSFET、减小寄生延时。MOSFET的漏极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄，MOSFET的源极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄。并且以N阱或P阱作为功率MOSFET的漂移区，功率MOSFET的多晶栅伸出有源区部分作为场板，并环绕所述MOSFET的漏极，又有，功率MOSFET的多晶栅的两边均以金属连线引出，并用所述金属连接功率MOSFET的多晶栅的两头，另外功率MOSFET的漂移区、有源区的弯曲处采用弧形或多边形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
1、一种功率MOSFET器件，其特征在于：所述MOSFET的漏极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄，所述MOSFET的源极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄，并且所述的MOSFET的漏极铝线和所述MOSFET的源极铝线之间交叉布线。
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