[实用新型]半导体功率晶体的焊线结构无效

专利信息
申请号: 200520048081.9 申请日: 2005-12-28
公开(公告)号: CN2906925Y 公开(公告)日: 2007-05-30
发明(设计)人: 吴家州 申请(专利权)人: 勤益电子(上海)有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈亮
地址: 201203上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型半导体功率晶体的焊线结构,其主要用于小外观(small outline)封装的半导体功率晶体,且小外观导线架为共平面型。在本实用新型焊线结构中,导线架、功率晶体、金焊线等仍与已有技术没太大差异,但改用铝带和铜带其中之一焊接至第一电极(源极或阳极)以及导线架的第一电接脚、第二电接脚、第三电接脚。如此一来,若用铝带和铜带其中之一取代传统上的金焊线后,本实用新型焊线结构可以大幅降低约90%的成本,同时其性能也优于金焊线。
搜索关键词: 半导体 功率 晶体 结构
【主权项】:
1、一种半导体功率晶体的焊线结构,系用于一小外观(small outline)封装的该半导体功率晶体,且该小外观导线架为共平面型,其特征在于,该焊线结构包含:一导线架,系包含一第一电接脚、一第二电接脚、一第三电接脚、一第四电接脚;一功率晶体,系具有一第一电极和一第二电极;一焊线,其两端分别被焊接至该第二电极和该第四电接脚;以及至少一铝带和铜带其中之一,其两端分别被焊接至该第一电极以及该第一电接脚、该第二电接脚、该第三电接脚。
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