[实用新型]用于红外光探测的雪崩光电二极管的二次封装装置无效

专利信息
申请号: 200520059464.6 申请日: 2005-06-09
公开(公告)号: CN2867589Y 公开(公告)日: 2007-02-07
发明(设计)人: 李日豪;廖常俊;刘颂豪 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L31/107;G01J1/02
代理公司: 广州粤高专利代理有限公司 代理人: 何淑珍
地址: 51064*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种用于红外光探测的雪崩光电二极管(简称APD,下同)的二次封装装置,其底座的底部开有一梯级凹槽,底座的上端开有一贯穿底座左右端面的凹槽,凹槽与梯级凹槽相通;梯级凹槽的底部放置辅助散热片,辅助散热片的下部在梯级凹槽内,上部在凹槽内;辅助散热片开有一与APD器件的连接法兰配合的凹槽;辅助散热片旁依次设置半导体制冷片、制冷片引线填充件;上盖的顶部开设与底部凹槽对应的贯穿左右端面的上盖凹槽,法兰盘配合件套在耦合了尾纤的APD器件上,法兰盘配合件开有一与APD器件的连接法兰配合的凹槽。本实用新型可在常温常压下进行填充式清洁干燥气密封装,无需真空材料,有较小的致冷体积和热容,可消除潮气的影响,只需较小的功率便可达到最佳工作温差。
搜索关键词: 用于 红外光 探测 雪崩 光电二极管 二次 封装 装置
【主权项】:
1、一种用于红外光探测的雪崩光电二极管的二次封装装置,其特征在于底座(1)的底部开有一梯级凹槽(1-1),底座(1)的上端开有一贯穿底座左右端面的凹槽(1-2),凹槽(1-2)与梯级凹槽(1-1)相通;梯级凹槽(1-1)的底部放置辅助散热片(4),辅助散热片(4)的下部在梯级凹槽(1-1)内,上部在凹槽(1-2)内;辅助散热片(4)开有一与雪崩光电二极管器件的连接法兰配合的凹槽(4-1),辅助散热片凹槽(4-1)的两端是分别与光纤耦合器、雪崩光电二极管配合的半圆柱型槽;半导体制冷片(7)紧贴着辅助散热片(4)放置在梯级凹槽(1-1)内,半导体制冷片(7)的旁边是制冷片引线填充件(2);上盖(6)的顶部开设与底部凹槽(1-2)对应的贯穿左右端面的上盖凹槽(6-1),法兰盘配合件(5)套在耦合了尾纤的雪崩光电二极管器件上,法兰盘配合件(5)开有一与雪崩光电二极管器件的连接法兰配合的凹槽(5-1)。
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