[实用新型]直接焊接在半导体分立器件硅基板后的层状结构无效
| 申请号： | 200520064137.X | 申请日： | 2005-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN2836240Y | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 吴纬国 | 申请（专利权）人： | 珠海南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 张中 |
| 地址： | 519020广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种直接焊接在半导体分立器件硅基板后的层状结构，上述半导体分立器件硅基板后没有设置器件的一面上依次被设置Ti或Cr、Ni、Ag、Sn、第二Ag层状衬底，上述结构可使半导体分立器件生产成本低、生产工艺简单并且满足“无铅工艺”要求。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 焊接 半导体 分立 器件 硅基板后 层状 结构 | ||
【主权项】：
1、一种直接焊接在半导体分立器件硅基板后的层状结构，所述半导体分立器件硅基板没有设置器件的一面上依次设置Ti或Cr、Ni、Ag层状衬底，其特征在于：在所述Ag层状衬底之后还依次设置有Sn层状衬底和第二Ag层状衬底。
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