[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及其液晶显示器无效
| 申请号： | 200520067273.4 | 申请日： | 2005-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN2852392Y | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种薄膜晶体管阵列基板，其包括一玻璃基底、一形成在该玻璃基底上的半导体层、一形成在该半导体层上的栅极绝缘层和一形成在该栅极绝缘层上的栅极线和公共电极线，其中，该栅极绝缘层包括一低介电常数区域和一高介电常数区域，该公共电极线对应该栅极绝缘层的高介电常数区域设置。该薄膜晶体管阵列基板可增加储存电容值。本发明还提供一采用该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 液晶显示器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其包括一玻璃基底、一位于该玻璃基底上的半导体层、一形成在该半导体层上的栅极绝缘层和一形成在该栅极绝缘层上的栅极线和公共电极线，其特征在于：该栅极绝缘层包括一低介电常数区域和一高介电常数区域，该公共电极线对应该栅极绝缘层的高介电常数区域设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
