[实用新型]一种偏转线圈边束静会聚校正装置无效

专利信息
申请号: 200520078273.4 申请日: 2005-01-24
公开(公告)号: CN2760747Y 公开(公告)日: 2006-02-22
发明(设计)人: 胡卫东 申请(专利权)人: 彩虹集团电子股份有限公司
主分类号: H01J9/236 分类号: H01J9/236;H01J29/76
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 徐文权
地址: 71202*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种偏转线圈边束静会聚校正装置,包括偏转线圈本体和设置在偏转线圈本体上的隔离器,在隔离器上安装有一对恒磁体,此恒磁体位于偏转线圈的颈部靠近电子枪发射位置处。本实用新型的四极磁场安装在靠近电子枪发射处,当电子束打出时,首先受到四极磁场作用,根据磁场作用原理,电子束两边束受到不同方向的磁场力作用,使两边束产生分离,从而达到校正偏转线圈边束静会聚的目的。
搜索关键词: 一种 偏转线圈 边束静 会聚 校正 装置
【主权项】:
1、一种偏转线圈边束静会聚校正装置,包括偏转线圈本体[4]和设置在偏转线圈本体[4]上的隔离器[2],其特征在于:在隔离器[2]上安装有一对恒磁体[1],所说的恒磁体[1]位于偏转线圈的颈部[3]靠近电子枪发射位置处。
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