[实用新型]半导体启辉器无效
| 申请号： | 200520089629.4 | 申请日： | 2005-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN2777897Y | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 毛延友 | 申请（专利权）人： | 毛延友 |
| 主分类号： | H05B41/04 | 分类号： | H05B41/04 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 丁忠民 |
| 地址： | 122000辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种属于半导体器件技术领域的半导体启辉器。它设有一个四层PnPn二极管和一个两层Pn二极管，四层PnPn二极管通过焊接层与两层Pn二极管连接。本实用新型具有高压单向导通、低压双向截止的开关特性，因此本实用新型启辉电流大(脉冲直流)，灯丝预热时间短，启辉快(交流50Hz每0.02秒启辉一次)，启辉速度提高2－3倍，本实用新型彻底解决了现有的电感式镇流器日光灯所用的启辉器普通存在启辉速度慢、灯管闪烁、灯丝过热、灯管寿命短等缺点，它是现有启辉器理想的换代产品。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 启辉器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体启辉器，其特征在于它设有一个四层PnPn二极管和一个两层Pn二极管，四层PnPn二极管通过焊接层与两层Pn二极管连接。
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