[实用新型]一种被磁化物体位移传感器无效
| 申请号： | 200520092761.0 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN2819170Y | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨志家;赵雪峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及使用霍尔器件实现位移检测的结构设计，具体是一种被磁化物体位移传感器，它将霍尔器件置于磁场中心位置即磁场强度最弱的区域，构成一体化结构，安装在被测系统上；所述磁场可以为两柱形结构磁性体构成，亦可以由环形结构磁性体构成，为霍尔器件提供一个稳定的磁场环境，使线性霍尔器件能够在其中正常工作；所述霍尔器件具有良好线性模拟电压输出，即它的输出电压在一定的磁场强度内随着磁场强度的变化进行线性变化。通过本实用新型结构的控制监测将根据不同的电压信号得出所测物体之间的不同位移变化值。所构成的霍尔位移传感器，实现了霍尔器件与磁系统的一体化，为使用、生产带来的极大的便利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁化 物体 位移 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种被磁化物体位移传感器，其特征在于包括：一磁场，为霍尔器件提供一个稳定的磁场环境，使线性霍尔器件能够在其中正常工作；一霍尔器件，具有线性模拟电压输出，即：其输出电压在一定的磁场强度内与磁场的强度成线性变化；且安装在磁场中心位置即磁场强度最弱的区域，构成一体化结构的霍尔位移传感器，安装在被测系统上。
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