[实用新型]一种多功能多弧等离子沉积装置无效
申请号: | 200520095004.9 | 申请日: | 2005-01-21 |
公开(公告)号: | CN2801812Y | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 潘应君;周磊 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学;武汉市等离子体技术研究所 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/513 |
代理公司: | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人: | 樊戎 |
地址: | 430081*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种多功能多弧等离子沉积装置。其技术方案是:在真空工作室[1]的四个侧面装有由各自独立控制的多个电弧蒸发源[3],在真空工作室[1]的底部设置有活动可拆、装式阴极底板[4],纳米材料反应收集器[5]位于阴极底板[4]下部,其内设置有气冷及水冷系统。工作脉冲偏压电源[7]分别与阴极底板[4]和真空工作室[1]的炉体阳极连接,工作脉冲偏压电源[7]采用了逆变控制和脉冲偏压电源。真空系统[6]分别与真空工作室[2]和纳米材料反应收集器[5]相通。在真空工作室[1]的炉体侧面设置有氩气进气口[2]和氮气进气口[9]并分别与相应的供气系统相通。本实用新型控制方便稳定,不易产生弧光放电而使工件过热,还具有纳米单层或多层薄膜涂层和纳米粉末制取的功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 多功能 等离子 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1、一种多功能多弧等离子沉积装置,其特征在于在真空工作室[1]的四个侧面装有多个电弧蒸发源[3],每个电弧蒸发源[3]均由各自独立的电弧蒸发系统[8]控制;在真空工作室[1]的底部设置有阴极底板[4],纳米材料反应收集器[5]位于阴极底板[4]的下部,工件脉冲偏压电源[7]的一端与阴极底板[4]连接、另一端与真空工作室[1]的炉体阳极连接,真空系统[6]分别与真空工作室[2]和纳米材料反应收集器[5]相通;在真空工作室[1]的炉体侧面设置有氩气进气口[2]和氮气进气口[9],氩气进气口[2]和氮气进气口[9]分别与相应的供气系统相通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学;武汉市等离子体技术研究所,未经武汉科技大学;武汉市等离子体技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200520095004.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种模具用内导柱
- 下一篇:调味包的撕口结构改良
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的