[实用新型]硅铝快速测定仪无效

专利信息
申请号: 200520095961.1 申请日: 2005-04-15
公开(公告)号: CN2811988Y 公开(公告)日: 2006-08-30
发明(设计)人: 林宗寿;刘金军;黄赟;赵前 申请(专利权)人: 武汉亿胜科技有限公司
主分类号: G01N21/27 分类号: G01N21/27;G01N35/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 唐万荣
地址: 430070湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型涉及一种硅铝测定仪。硅铝快速测定仪,包括机箱(8)、光源(9)、单色器(13)、样品室(15)、光电检测室(16)、主控电路(20),其特征是:程控放大电路单元(1)主要由二次放大芯片(CA3140)、二次放大芯片(AD7520)、隔离芯片(TLP521-4)、驱动芯片(PCF8574T)组成,二次放大芯片(CA3140)和二次放大芯片(AD7520)将光电检测室(16)输出的光强电信号进行二次放大,放大后的光强信号送至AD转换电路单元(2),主控CPU电路单元(4)的芯片(OM4368)将采样AD芯片(ICL7135)的数据读入作为光强信号。本实用新型具有结构简单、性能可靠的特点。
搜索关键词: 快速 测定
【主权项】:
1.硅铝快速测定仪,包括机箱(8)、光源(9)、单色器(13)、样品室(15)、光电检测室(16)、主控电路(20),光源(9)、单色器(13)、样品室(15)、光电检测室(16)、主控电路(20)位于机箱(8)内,光源(9)的出口与单色器(13)的入射狭缝(19)相对,单色器(13)的出射狭缝(14)与样品室(15)的单色光入射口相对,样品室(15)的单色光出射口与光电检测室(16)的光电池(18)相对,光电检测室(16)的光电放大电路(17)与主控电路(20)由接口相连;主控电路(20)主要由程控放大电路单元(1)、AD转换电路单元(2)、隔离电路单元(3)、主控CPU电路单元(4)、键盘控制电路单元(5)、时钟、存储电路单元(6)、电源单元(7)组成;其特征是:程控放大电路单元(1)主要由二次放大芯片CA3140、二次放大芯片AD7520、隔离芯片TLP521-4、驱动芯片PCF8574T组成,接口(J10)与光电放大电路(17)的(J2)接口相连,二次放大芯片AD7520的2脚、3脚、16脚与接口(J10)相连,二次放大芯片CA3140和二次放大芯片AD7520将光电检测室(16)输出的光强电信号进行二次放大,放大后的光强信号送至AD转换电路单元(2),主控CPU电路单元(4)的芯片OM4368将采样AD芯片ICL7135的数据读入作为光强信号;驱动芯片PCF8574T控制隔离芯片TLP521-4驱动二次放大芯片AD7520和二次放大芯片CA3140,进行二次放大的程控调整。
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