[实用新型]高功率发光二极管封装结构无效

专利信息
申请号: 200520110456.X 申请日: 2005-06-24
公开(公告)号: CN2852396Y 公开(公告)日: 2006-12-27
发明(设计)人: 林立宸 申请(专利权)人: 丰鼎光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种高功率发光二极管封装结构,对发光二极管提供对外的电气连接和良好的散热,包含一预设有电气接点、中有穿透孔的电路板,一由一柱体与一底板所一体成型构成的、具高热传导性的基座,一中有穿透孔、周边预设有电气接点的基板,以及一透明保护体;实施时,电路板与基板穿过基座的柱体堆栈于基座的底板上,二极管芯片设置基座的柱体顶端,并以导线建立与电路板的电气连接,再于电路板与基板之间建立电气连接,最后再以透明保护体将二极管芯片与导线封固起来。本实用新型还在基座的柱体顶端设置多个二极管芯片,并在电路板与基板上设置对应的多组电气接点而达到多芯片的封装,并因电路板将电气线路的导出构成多功能的线路控制系统。
搜索关键词: 功率 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
1.一种高功率发光二极管封装结构,提供M个发光二极管芯片对外的电气连接与散热,其中,1≤M≤N且N≥1,其特征在于,它至少包含:一基座,是由一高热传导性材质构成,该基座包含一柱体与一底板,该柱体的一第一端与该底板的一表面接合,该柱体的另一第二端的表面积至少大于N个该二极管芯片的面积和,该M个二极管芯片设置于该柱体的该第二端表面上;一基板,该基板包含一第一穿透孔与N组第一电气接点,该第一穿透孔的尺寸形状与该柱体相配,该基板位于该底板的该表面上,该柱体由该第一穿透孔穿过;一电路板,该电路板具有一第二穿透孔与N组第二电气接点,该第二穿透孔的尺寸形状与该柱体相配、该电路板位于该基板之上,其面积小于该基板,该柱体由该第二穿透孔穿过,该M个二极管芯片的正负极与该N组第二电气接点其中M组之间分别建立有电气连结,该M组第二电气接点则与该基板的该N组第一电气接点其中M组建立有电气连接;以及一透明保护体,位于该封装结构的最上层,至少将该M个二极管芯片、以及该M个二极管芯片的正负极与该M组第二电气接点之间建立的电气连结包覆在内;其中,该柱体高度与该基板与该电路板厚度之和相同。
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