[实用新型]具有粘附处理残余物的表面的构件及包括其的衬底处理室无效
申请号: | 200520112104.8 | 申请日: | 2005-06-28 |
公开(公告)号: | CN2893917Y | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 蔡建昆;布赖恩·T·韦斯特;李茂城;拉克斯曼·穆鲁盖什;王洪;阿比吉特·德赛 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 肖善强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有结构和表面的处理室构件,在激发气体中处理衬底的过程中,处理残余物良好地粘附到所述表面上,以减小对于衬底的污染。在一个方案中,所述结构具有可以彼此相反的第一和第二螺旋槽。在另一方案中,构件表面包括多个径向地间隔开的同心槽和形成在其间的电子束纹理化的凹入。在另一方案中,所述表面具有滚花的垄和沟槽。由此在衬底处理室中在激发气体中处理衬底的过程中,处理残余物粘附到构件结构的所述表面上,因此,减小了处理残余物对衬底的污染。 | ||
搜索关键词: | 具有 粘附 处理 残余物 表面 构件 包括 衬底 | ||
【主权项】:
1.一种构件,其能够暴露于衬底处理室中的激发气体,其特征在于,所述构件包括:构件结构,所述构件结构具有包括间隔开的滚花垄和沟槽的滚花的暴露表面,在所述衬底处理室中在所述激发气体中处理衬底的过程中,处理残余物粘附到所述构件结构的所述表面上,以减小所述处理残余物对所述衬底的污染。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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