[实用新型]低电感晶片型电阻器无效
| 申请号： | 200520114180.2 | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN2821810Y | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 郑原辉 | 申请（专利权）人： | 均钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 吴兰柱 |
| 地址： | 台湾省桃园县八*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低电感晶片型电阻器，该电阻器至少具有一对的第一电极和第二电极，以及一个设于第一电极和第二电极之间的电阻本体部分，其电阻本体部分表面，设有电阻值修整沟槽，其中，该电阻值修整沟槽，包括至少一条与电阻本体部分轴方向相互平行的直线型沟槽，且该直线型沟槽的两端分别延伸至第一电极和第二电极，使电阻本体部分的两侧缘部分成为电流不流通的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 晶片 电阻器 | ||
【主权项】：
1、一种低电感晶片型电阻器，具有至少一对的第一电极和第二电极，以及一设于第一电极和第二电极之间的电阻本体部份，其特征在于：在所述电阻本体部份表面，设有电阻值修整沟槽。
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