[实用新型]正面发光二极管改进结构无效
| 申请号： | 200520115099.6 | 申请日： | 2005-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN2809883Y | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 凌士忠 | 申请（专利权）人： | 凌士忠 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙刚 |
| 地址： | 台湾台北县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种正面发光二极管改进结构，其主要包括有：一外壳体，由一封实的底片，及一具有喇叭开口的顶片所构成；以及，一基座，其夹置在外壳体的底片与顶片间，该基座中间设有置放晶片的台面，而其两侧突设有包折底片的接脚；其中，该基座的台面设有凹陷位，使晶片与其晶片基座可深植埋入台面的凹陷位内组装，据此，使晶片可埋入组装，除可提升发光效率，并可达到最佳混色效果，而且利用其凹陷基座亦可提升散热效果，而有效增加产品信赖度。 | ||
| 搜索关键词： | 正面 发光二极管 改进 结构 | ||
【主权项】：
1.一种正面发光二极管改进结构，其主要包括有：一外壳体，由一封实的底片，及一具有喇叭开口的顶片所构成；以及一基座，其夹置在外壳体的底片与顶片间，该基座中间具有置放晶片的台面，而两侧突出有包折底片的接脚；其特征在于：该基座的台面具有使晶片与其晶片基座可深植埋入台面的凹陷位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凌士忠，未经凌士忠许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200520115099.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超压泄放保护装置
- 下一篇：水库防渗土工膜周边固定连接结构
