[实用新型]共享基板的影像传感器构造无效
申请号: | 200520129287.4 | 申请日: | 2005-10-17 |
公开(公告)号: | CN2842738Y | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 何孟南;彭镇滨;陈美云;林建亨 | 申请(专利权)人: | 胜开科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/488 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种可共享基板的影像传感器构造,包括有:一基板,设有一上表面及一下表面,该上表面中央位置形成有一芯片容置区及于该芯片容置区四周分别形成有数量相同的第一电极,且该容置区四周的相邻边的第一电极系一对一地电性连接,该下表面的四周边形成有第二电极,每一边的第二电极数量较该上表面每一边的电极数量为少,且该第二电极间隔性地连接该第一电极;一凸缘层设置于该基板的上表面,与该基板形成有一凹槽;一芯片设置于该基板的容置区位置,并位于该凹槽内,其至少一边形成多数个焊垫,该焊垫数量等于或小于该基板的一边的第一电极数量;复数个导线电连接该芯片的焊垫至该基板的第一电极;一透光层盖设于该凸缘层上,覆盖住该芯片。 | ||
搜索关键词: | 共享 影像 传感器 构造 | ||
【主权项】:
1.一种可共享基板的影像传感器构造,其特征在于,包括有:一基板,其设有一上表面及一下表面,该上表面中央位置形成有一芯片容置区及于该芯片容置区四周分别形成有数量相同的第一电极,且该容置区四周的相邻边的第一电极为一对一地电性连接,讯号由相邻边传输,该下表面的四周边形成有第二电极,每一边的第二电极数量较该上表面每一边的第一电极数量为少,且该第二电极间隔性地连接该第一电极,该第一电极的讯号传输至该第二电极及由相邻边的第一电极传输至该第二电极;一凸缘层,设置于该基板的上表面,与该基板形成有一凹槽;一芯片,设置于该基板的容置区位置,并位于该凹槽内,其至少一边形成多数个焊垫,该焊垫数量等于或小于该基板的一边的第一电极数量;复数个导线,电连接该芯片的焊垫至该基板的第一电极,芯片的讯号由基板上表面四周的第一电极传输至基板下表面的第二电极;及一透光层,盖设于该凸缘层上,将该芯片覆盖住。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的