[实用新型]芯片封装体无效

专利信息
申请号: 200520130020.7 申请日: 2005-10-28
公开(公告)号: CN2881955Y 公开(公告)日: 2007-03-21
发明(设计)人: 李胜源 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型是有关于一种芯片封装体,包括一封装基板、一芯片与至少一埋入式电感元件。其中,封装基板具有多数个图案化导电层、至少一绝缘层与多数个导电孔道,绝缘层配置于相邻这些图案化导电层之间,且这些图案化导电层之二是藉由这些导电孔道之一而相互电性连接。此外,芯片配置于封装基板上,且与封装基板相电性连接。另外,埋入式电感元件包括一导电螺旋结构与至少一低介电系数区。其中低介电系数区配置于绝缘层中,低介电系数区与导电螺旋结构相邻,且低介电系数区的介电系数小于绝缘层的介电系数。
搜索关键词: 芯片 封装
【主权项】:
1、一种芯片封装体,其特征在于其包括:一封装基板,具有多数个图案化导电层、至少一绝缘层与多数个导电孔道,该绝缘层配置于相邻该些图案化导电层之间,且该些图案化导电层之二是藉由该些导电孔道之一而相互电性连接;一芯片,配置于该封装基板上,且与该封装基板相电性连接;以及至少一埋入式电感元件,配置于该封装基板内,该埋入式电感元件包括:一导电螺旋结构;以及至少一低介电系数区,配置于该绝缘层中,该低介电系数区与该导电螺旋结构相邻,且该低介电系数区的介电系数小于该绝缘层的介电系数。
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