[实用新型]一种制作容差和可用带宽范围大的光子晶体分束器无效
| 申请号： | 200520132756.8 | 申请日： | 2005-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN2867363Y | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 余和军;余金中;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及基于SOI材料的光子晶体分束器，包括一SOI材料衬底，在SOI衬底刻蚀产生硅柱，该硅柱呈正方晶格或六方晶格排列，硅柱高度为SOI顶层硅的厚度，在完整晶格结构中省去一行硅柱分别形成分束器的输入波导、两路输出波导；输入波导夹在两路输出波导的中间，它与两路输出波导分别由一列硅柱隔离，输入波导前端至少还留有一个硅柱，输出波导末端至少还留有一个硅柱；与外界相连的SOI条载波导分别设置在输入波导输入端、两路输出波导的输出端，该SOI条载波导与硅柱等高。该分束器结构紧凑，其长度比传统波导Y分束器缩小数十倍。通过控制隔离输入波导与输出波导的硅柱大小就能实现不同分束比的光输出，因此更具灵活性与实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 可用 带宽 范围 光子 晶体 分束器 | ||
【主权项】：
1.一种制作容差和可用带宽范围大的光子晶体分束器，包括SOI材料衬底、在SOI衬底上经过电子束曝光、电感耦合等离子体工艺刻蚀产生硅柱，与外部光纤或其他器件相连的SOI条载波导；其特征在于，所述的硅柱呈正方晶格或六方晶格排列在SOI衬底上，所述的硅柱高度为SOI顶层硅的厚度，在完整晶格结构中省去一行硅柱分别形成分束器的输入波导、两路输出波导；所述的输入波导夹在两路输出波导的中间，它与两路输出波导分别由一列硅柱隔离，所述的输入波导前端至少还留有一个硅柱；所述的输出波导末端至少还留有一个硅柱，分别对入射光和反向耦合光起反射作用；所述的与外界相连的SOI条载波导分别设置在输入波导输入端、两路输出波导的输出端，该SOI条载波导与硅柱等高。
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