[实用新型]高压元件无效
申请号: | 200520136641.6 | 申请日: | 2005-12-13 |
公开(公告)号: | CN2879425Y | 公开(公告)日: | 2007-03-14 |
发明(设计)人: | 陈立哲 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种高压元件,包括数个隔离结构、一个第一导电类型掺杂区、至少二个第二导电类型掺杂区、至少二个隔离区、一个栅极结构与一个第二导电类型源极区/漏极区。隔离结构配置于一基底中。第一导电类型掺杂区配置于这些隔离结构之间的基底中。二个第二导电类型掺杂区分别配置于第一导电类型掺杂区两侧的基底中。隔离区配置于第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区之间的基底中。栅极结构配置于二个第二导电类型掺杂区之间的基底上。第二导电类型源极区/漏极区配置于栅极结构两侧的基底中。由于利用了上述各掺杂区来代替常用的接合区以及漂移区,并以各掺杂区之间的距离来设定二源极与漏极区的击穿电压,因此便于用来设计不同规格的高压元件。 | ||
搜索关键词: | 高压 元件 | ||
【主权项】:
1.一种高压元件,其特征在于包括:多个隔离结构,配置于基底中;第一导电类型掺杂区,配置于该些隔离结构之间的该基底中;至少二第二导电类型掺杂区,分别配置于该第一导电类型掺杂区两侧的该基底中;至少二隔离区,配置于该第一导电类型掺杂区与该二第二导电类型掺杂区之间的该基底中;栅极结构,配置于该二第二导电类型掺杂区之间的该基底上;以及第二导电类型源极区/漏极区,配置于该栅极结构两侧的该基底中。
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