[实用新型]发光二极管封装结构无效
申请号: | 200520142862.4 | 申请日: | 2005-12-09 |
公开(公告)号: | CN2867600Y | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | 曾焕哲;温伟值;潘锡明 | 申请(专利权)人: | 璨圆光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡光星 |
地址: | 台湾桃园县龙潭乡*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构,包括发光二极管与承载器。发光二极管包括基板、半导体层、第一电极与第二电极,其中半导体层则位于基板的表面上,且具有粗糙表面。此外,半导体层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层与位于两者间的发光层。第一/第二电极位于第一/第二型掺杂半导体层上方,且电连接第一/第二型掺杂半导体层。承载器具有粗糙承载表面,且包括位于粗糙承载表面上的第一接点与第二接点,发光二极管的第一/第二电极是朝向承载器以与第一/第二接点电连接。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管封装结构,其特征是包括:发光二极管,包括:基板;半导体层,设置于该基板上,且具有粗糙表面,其中该半导体层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层,其中该发光层位于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间;第一电极,位于该第一型掺杂半导体层上方,且电连接于该第一型掺杂半导体层;第二电极,位于该第二型掺杂半导体层上方,且电连接于该第二型掺杂半导体层;承载器,该承载器的表面具有第一接点与第二接点,而该发光二极管的该第一电极与该第二电极是朝向该承载器以分别与该第一接点与该第二接点电连接;以及反射层,设置于该承载器朝向该发光二极管的表面上。
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