[实用新型]交流接触器断相欠压电子保护器无效

专利信息
申请号: 200520200347.7 申请日: 2005-05-08
公开(公告)号: CN2857297Y 公开(公告)日: 2007-01-10
发明(设计)人: 何高翔 申请(专利权)人: 何高翔
主分类号: H02H3/253 分类号: H02H3/253;H02H3/24;H02H7/22
代理公司: 柳州市集智专利事务所 代理人: 陈希
地址: 545007广西壮族自*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 一种交流接触器断相欠压电子保护器,其特点是可控硅(VS1、VS2)的正极接到与接触器线圈串接的位置,负极接到整流电路的负极;可控硅(VS1、VS2)的控制极相接后与至少两个光敏电阻(RA、RB)串接到整流电路的正极;在三相电源端至少接有两个整流电路,每个整流电路的正、负极接有由可控硅VS1、发光管LED串联而成的发光电路,可控硅VS1的控制极接到电压设定电路。其优点是安全可靠,能够及时的让交流接触器和电机等电器进行自动断相和欠压保护。
搜索关键词: 交流 接触器 断相欠 压电 保护
【主权项】:
1.一种交流接触器断相欠压电子保护器,其特征在于:具有与接触器线圈串接的可控硅(VS1、VS2),可控硅(VS1、VS2)的正极接到与接触器线圈串接的位置;与接触器控制电路联接有整流电路,可控硅(VS1、VS2)的负极接到整流电路的负极;可控硅(VS1、VS2)的控制极相接后与至少两个光敏电阻(RA、RB)串接到整流电路的正极;三相电源相互连接有两个发光源(S1、S2);发光源(S1、S2)分别与光敏电阻(RA、RB)组成光耦合。
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