[发明专利]波长可变半导体激光器和使用该激光器的气体检测器无效
| 申请号： | 200580000140.8 | 申请日： | 2005-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1765037A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 森浩;菊川知之;高桥良夫;铃木敏之;木村洁 | 申请（专利权）人： | 安立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227;H01S5/062;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种波长可调半导体激光器，其包括：n型半导体衬底；设置在所述n型半导体衬底上且能够发光的有源层；设置在所述有源层上的p型覆层；以及用于使有源层中发出的光的特定波长选择性振荡的波长选择装置。在电流注入到所述有源层中时，所述波长可变半导体激光器以特定波长振荡，所述特定波长可以通过改变所述电流的大小而被改变。表示在产生的光的传播方向上的长度的器件长度在约200μm到500μm的范围。表示在与所述光的传播方向垂直且与所述衬底平行的方向上的长度的有源层的宽度在约1μm到2μm的范围。所述p型覆层包括从有源层一侧顺序形成的具有低杂质浓度的低浓度覆层子层和具有高杂质浓度的高浓度覆层子层。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 可变 半导体激光器 使用 激光器 气体 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种波长可调半导体激光器，包括：n型半导体衬底；有源层，其设置在所述n型半导体衬底上且产生光；p型覆层，其设置在所述有源层上；以及波长选择装置，其用于使所述有源层产生的光中仅特定波长选择性振荡，能够以特定波长振荡的所述波长可调半导体激光器通过使电流流入到有源层中而工作，所述特定波长通过改变所述电流的大小而变化，其中，表示在所述有源层产生的光的传播方向上的长度的器件长度约为200μm到500μm，且所述p型覆层包括从有源层一侧顺序排列的具有低杂质浓度的轻掺杂覆层和具有高杂质浓度的重掺杂覆层。
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